疑似三星S8跑分曝光 10nm骁龙835立功了

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此前有传闻指出三星将为美国版的Galaxy S8和S8 Plus配备高通骁龙835芯片(代号MSM8998),预计这款芯片将慢慢成为2017年Android旗舰手机的标配。这款八核芯片不只是单纯提升性能,而是在最优功耗和性能之间寻找平衡点。它采用的是最先进的10纳米制程工艺,支持流畅的移动虚拟现实体验等新功能。

疑似三星S8跑分曝光 10nm骁龙835立功了

实际上,现在市面上的处理器性能已经足够强大,许多人更关心的是手机的发热量和电池续航时间。但是,还有一部分人依然追求的是极致的安兔兔、Geekbench等软件的跑分分数。日前,一款运行Android Nougat系统,搭载骁龙835芯片和4GB内存的设备亮相Geekbench,在测试时占据了Android性能榜第一的位置。

疑似三星S8跑分曝光 10nm骁龙835立功了

显然骁龙835的高主频在这里显示了威力,单核性能高达2004分。在此前的Geekbench性能榜上,Galaxy S7以单核测试1785分的成绩位居榜首,这款手机搭载的是骁龙820芯片,主频为1.6GHz。

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从这个跑分成绩中,我们可以初步判断骁龙835在性能、耗电、图形处理和虚拟现实功能等方面都要优于骁龙820。当然,这只是两款芯片的初步比较,一切还要等到搭载骁龙835的设备真正开售才能下结论。

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